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फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर

फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर


गैर-विद्युत भौतिक चर को प्रकाश संकेतों में परिवर्तित करता है, फिर नियंत्रण के लिए विद्युत संकेतों के लिए।

गैर-विद्युत भौतिक भिन्नता का पता लगा सकता है जो सीधे प्रकाश परिवर्तन की ओर जाता है या परिवर्तित किया जा सकता है।

उच्च रिज़ॉल्यूशन, त्वरित प्रतिक्रिया, गैर-संपर्क, विश्वसनीय प्रदर्शन और पता लगाई गई वस्तुओं पर कुछ प्रतिबंध।

व्यापक रूप से पता लगाने, नियंत्रण, औद्योगिक स्वचालन उपकरण और रोबोट, आदि में उपयोग किया जाता है।


सुविधाऐं
फोटोइलेक्ट्रिक तकनीक के आधार पर काम करने वाला मानक फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर, मापा गैर-विद्युत भौतिक चर को प्रकाश संकेतों में परिवर्तित करता है, जिसे बाद में नियंत्रण के लिए विद्युत संकेत में परिवर्तित किया जाएगा। इसका उपयोग गैर-विद्युत भौतिक भिन्नता का पता लगाने के लिए किया जाता है जो सीधे प्रकाश के परिवर्तन (जैसे प्रकाश की तीव्रता या रोशनी में परिवर्तन, आदि) की ओर जाता है, और गैर-विद्युत भौतिक भिन्नता (जैसे विस्थापन और त्वरण, आदि) को परिवर्तित करने में सक्षम है। सेंसर में सरल डिजाइन, उच्च रिज़ॉल्यूशन, त्वरित प्रतिक्रिया, गैर-संपर्क और विश्वसनीय प्रदर्शन के साथ-साथ पता लगाई गई वस्तुओं पर कुछ प्रतिबंध हैं। यह व्यापक रूप से पता लगाने, नियंत्रण, औद्योगिक स्वचालन उपकरण और रोबोट आदि में उपयोग किया जाता है।
तकनीकी पैमाने
- संवेदन मोड: के माध्यम से बीम प्रकार, स्पेक्युलर प्रतिबिंब प्रकार, फैलाना प्रतिबिंब प्रकार, स्लॉट प्रकार
- अधिकतम संवेदन दूरी: 10 मीटर (थ्रू-बीम प्रकार), 24 मीटर (स्पेक्युलर प्रतिबिंब प्रकार), 1800 मिमी (फैलाना प्रतिबिंब प्रकार)
- स्लॉट चौड़ाई: 2 ~ 120 मिमी (स्लॉट प्रकार)
- आउटपुट प्रकार: पीएनपी, एनपीएन, 2× पुश-पुल, रिले, आदि।
- आवास सामग्री: धातु/प्लास्टिक, बेलनाकार/आयताकार
- स्विच मोड: उज्ज्वल/अंधेरा
लेक्टोटाइप
- ओ (बी) जी/ओपी/ओएम18~30, ओएसक्यू18~25, ओएस3~80, ओएसएम18~90, एफ30~120, एफ2/एफ5, एफ2.5/एफ4

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